N-kanal MOSFET, SIR170DP-T1-RE3, yüksek performans ve güvenilirlik sunan bir yarı iletken bileşendir. 100 V’luk bir dren kaynağı gerilimi (Vdss) ile, 25°C’de sürekli akım kapasitesi 23.2A, soğutma koşullarında ise 95A’ya kadar çıkabilmektedir. Düşük Rds On değeri, 20A ve 10V’da maksimum 4.8mΩ olarak belirlenmiştir, bu da enerji kaybını minimize eder ve verimliliği artırır.
Bu MOSFET, 4.5V ve 10V’luk sürücü gerilimleri ile çalışabilmekte ve 2.5V’luk maksimum kapı eşik gerilimi (Vgs(th)) sunmaktadır. 10V’da 140 nC’lik kapı yükü (Qg) ile hızlı anahtarlama yetenekleri sağlar. Ayrıca, ±20V’luk maksimum kapı gerilimi (Vgs) ile geniş bir uygulama yelpazesine hitap eder.
Gelişmiş soğutma özellikleri sayesinde, 6.25W (Ta) ve 104W (Tc) maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında geniş bir çalışma sıcaklığı aralığı sunarak, zorlu çevre koşullarında bile güvenilir performans sağlar. PowerPAK® SO-8 paketinde yüzeye montaj için tasarlanmış bu bileşen, modern elektronik uygulamalarında yüksek verimlilik ve dayanıklılık arayan mühendisler için ideal bir seçimdir.
