AOSP36326C: Yüksek Performanslı N-Kanal MOSFET
AOSP36326C, ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. tarafından üretilen, yüksek verimlilik ve güvenilirlik sunan bir N-Kanal MOSFET’tir. Bu bileşen, 30 V’a kadar olan drain-source gerilim toleransı ile geniş bir uygulama yelpazesine hitap eder. 25°C’de sürekli 12A akım taşıma kapasitesi, bu MOSFET’in yüksek güç uygulamalarında etkin bir şekilde kullanılmasını sağlar.
Teknik Özellikler ve Performans
AOSP36326C, 4.5V ve 10V’luk sürücü gerilimlerinde minimum Rds On değeri 11 mΩ olarak belirlenmiştir. Bu düşük direnç, enerji kayıplarını minimize ederek sistem verimliliğini artırır. Gate gerilim eşiği (Vgs(th)) 2.3V’da 250µA akımda ölçülmüştür, bu da hızlı anahtarlama yetenekleri sunar. Ayrıca, 15 nC’lik maksimum gate yükü (Qg) ile hızlı anahtarlama uygulamaları için idealdir.
Dayanıklılık ve Montaj
-55°C ile 150°C arasında geniş bir çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan AOSP36326C, zorlu çevre koşullarında bile güvenilir performans sergiler. 2.5W maksimum güç dağıtımı ile, bu MOSFET, yüksek sıcaklık ve güç gereksinimlerini karşılamak üzere tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj tipi, kompakt tasarımlar için uygun bir çözüm sunar.
AOSP36326C, yüksek performans ve güvenilirlik arayan mühendisler için mükemmel bir seçimdir.
