P-Channel MOSFET AOD21357, bir güç yarı iletkeni olarak, yüksek performans ve güvenilirlik sunmaktadır. Metal oksit teknolojisi ile üretilen bu MOSFET, 30 V’a kadar olan drain-source geriliminde çalışabilme kapasitesine sahiptir. 25°C’de sürekli akım değeri 70A olan bu bileşen, yüksek akım uygulamaları için idealdir.
AOD21357’nin Rds On değeri, 20A ve 10V’da maksimum 8mΩ olarak belirlenmiştir, bu da enerji kaybını minimize ederek verimliliği artırır. Gate gerilimi için 10V’luk bir maksimum değerle, hızlı anahtarlama yetenekleri sunar. Vgs(th) değeri ise 2.3V’da 250µA’da ölçülmüştür, bu da düşük gerilimle etkin bir kontrol sağlar.
Bu MOSFET, -55°C ile 150°C arasında geniş bir çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 78W’a kadar güç dağıtım kapasitesi ile zorlu koşullarda bile güvenilir performans sunar. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan AOD21357, yüzeye montaj için tasarlanmış olup, 2830 pF’lık giriş kapasitansı ile etkili bir performans sergiler. Bu özellikleri, AOD21357’yi endüstriyel uygulamalar ve güç yönetimi sistemleri için mükemmel bir seçim haline getirmektedir.
